报告题目：面向先进存储与智能应用的铪基铁电器件
报告人：符芷源 副研究员
邀请人：王 琳 教授
报告时间：2024年11月12日（星期二）14:00
报告地点：科技D楼1903室
报告摘要
随着大数据应用的迅猛发展，对高效的信息采集、处理与存储系统提出了更高的要求，基于新物理机制的新型存储器件提供了全新解决方案。在此背景下，氧化铪基铁电材料和器件凭借其超低功耗、高速响应特性，以及优异的CMOS兼容性与微缩潜力，展现出独特的物理行为，成为先进存储、存算一体化和感算一体化应用中的研究热点，在众多前沿领域中崭露头角，显示出巨大的应用潜力与技术优势。本讲座将从材料特性、器件架构、阵列设计及智能应用等多个维度，系统探讨氧化铪基铁电器件在先进存储与智能计算中的发展现状及其未来方向。
个人简介
符芷源，东南大学副研究员，博士毕业于北京大学。2024年9月加入东南大学集成电路学院，研究方向为新型铪基铁电存储器及其先进智能应用。参与面上与横向项目三项，在IEEE IEDM、EDL、TED等高水平期刊会议发表论文27篇，以第一作者身份发表论文8篇，连续三年在IEEE IEDM大会进行现场报告，申请或授权专利9项，曾获IEEE IEDM最佳论文提名等奖项。
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