继石墨烯纳米材料之后，二维过渡金属硫族化合物（transition metal dichalcogenides） 由于其独特的物理、电学和光学性质，成为新兴的研究热点,  在电子和光电等领域显示出了广泛的应用。尤其是单层WSe₂、MoS₂和WS₂材料，具有在可见光范围内的直接带隙、强光致发光和能谷极化等特性，特别适合制备旋光发光二极管和应用于自旋和能谷电子学器件。近日，我校海外人才缓冲基地（先进材料研究院）、江苏省柔性电子重点实验室黄维院士所领导的创新团队与新加坡南洋理工大学（Nanyang Technological University）数理科学学院（School of Physical and Mathematical Sciences）物理与应用物理系（Division of Physics & Applied Physics）于霆教授合作，在基于过渡金属硫族化合物的旋光发光二极管设计和制备方面取得了重大突破：以化学气相沉积生长的单层WS₂材料为有源层，制备了电致发光具有圆偏振特性的p-i-n异质结构发光二极管。测试表明该器件电致发光的圆偏振度高达81%。特别不同于传统自旋发光二极管和自旋有机发光二极管的是，该器件不需要外加磁场和磁性元素或手性分子，就能通过改变注入电流的大小来对电致发光的圆偏振度进行简单有效的调节。该研究成果为二维过渡金属硫族化合物发光器件的大规模制备奠定了基础，同时，电致可调圆偏振光的获得对用此种独特材料来制备圆偏振光源具有重要的指导意义，拓展了其在自旋和能谷电子学方面的新应用。该项工作近期发表在Nano Lett. 2016, 16, 1560-1567。

该工作得到了国家自然科学基金委等项目的资助和支持。

文章链接：http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.5b04066

文章附件：Yang Weihuang-Nano Letters-2016-Electrically Tunable Valley-Light Emitting Diode (vLED) Based on CVD-Grown Monolayer WS2.pdf